买卖IC网 >> 产品目录 >> FM2G200US60 IGBT 模块 datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

FM2G200US60

库存数量：可订货
制造商：Fairchild Semiconductor
描述：IGBT 模块
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块
制造商 Fairchild Semiconductor
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
集电极—射极饱和电压 2.2 V
在25 C的连续集电极电流 200 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
功率耗散 830 W
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 7PM-BB
封装
相关资料
属性
链接
代理商 FM2G200US60
FM2G300LS60E
FM2G300US60
FM2G400US60
FM2G50US60
FM2G75US60
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  • FM2G200US60 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价